化合物半導体の開発スタッフ（リーダーまたはリーダー候補）

化合物半導体製造技術の開発業務を担当

仕事内容

以下に例示する化合物半導体製造技術の開発業務を担当。ご経験やご希望などを踏まえて担当業務をご提案します。
　・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計
　・化合物半導体のウエハ加工技術の開発
　・化合物半導体の結晶およびウエハの評価と解析。検査技術の開発

仕事内容（変更の範囲）

会社の定める職務

応募条件

【必須事項】

・経験職種（年数）・経験内容：
以下2点のいずれかの経験があること
・GaN自立基板結晶成長技術開発経験（実務経験5年以上）
・SiCやGaN、そのほか高脆性材料・難削材の化合物半導体を対象とした、加工技術、生産、研究開発いずれかの経験（実務経験5年以上）

【歓迎経験】

・専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
・経験職種（年数）・経験内容：
・GaN自立基板の高品質化（低転位化）技術ないし大口径化、HVPE（ハライド気相成長）法技術開発経験（５年以上）
・高脆性材料・難削材のスライス、ラップ、研削、研磨、レーザー加工等の技術開発経験（５年以上）
・語学力：英語

【免許・資格】

【勤務開始日】

応相談

学歴

大学卒以上

雇用形態

正社員

試用期間

3ヶ月

勤務地

在宅可、茨城

勤務地（変更の範囲）

会社の定める事業拠点（テレワークを行う場所を含む）

転勤の有無

転勤なし

受動喫煙防止措置

屋内禁煙

勤務時間

通常（実質労働時間との連動）
就業時間：08:30 ～ 17:15
フレックス制度　有

勤務開始日

応相談

休日休暇

土日祝
年間有給休暇：　
法定休暇：年次有給休暇
その他休暇：特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇　等

年収・給与

年収　　800万円～1300万円　
基本給　月給47.9～76.5万円

諸手当

通勤手当、土日祝手当等

昇給

あり

賞与

あり

採用人数

1名　

待遇・福利厚生

通勤手当：有
通勤費補助制度、退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険　等

各種制度

健康保険：有
雇用保険：有
労災保険：有
厚生年金：有
定年：65歳
退職金制度：有

選考プロセス

１）書類選考
２）一次面接
３）最終面接